存储芯片制造产能持续集聚 中国大陆产出占全球约三分之一

全球存储芯片市场当中，三星、SK 海力士占据行业靠前位置，美光紧随其后，长鑫、长江存储为代表的国内厂商持续扩大市场份额。本土企业方面，长鑫在全球 DRAM 内存市场取得约 10% 的份额；长江存储的 NAND 闪存产品在全球市场占比达到 15%。

多家海外存储巨头也将重要生产基地设置在国内。三星坐落于西安的 NAND 闪存工厂，承担该企业全球 35% 左右的闪存产能，折算之后，这座工厂的产出占到全球 NAND 闪存总产能一成。SK 海力士在大连布局 NAND 产线，两座外资工厂叠加本土长江存储产能之后，中国大陆整体 NAND 闪存制造规模占到全球 33%，仅次于韩国。

DRAM 内存赛道同样形成本土与外资基地并行的格局。长鑫贡献本土 DRAM 产能，SK 海力士无锡工厂承担该企业 35% 的 DRAM 产能，综合核算，中国大陆 DRAM 整体制造产能约占全球 30%。两类产品综合统计，全球每三颗存储芯片当中，就有一颗出自国内的晶圆制造工厂。

本轮存储芯片价格上行周期，行业整体盈利水平明显抬升。2026 年上半年，三星、SK 海力士、美光以及长鑫几家主要存储厂商经营数据大幅走高。在这一轮市场行情之下，国内半导体上下游供应链同样同步获得业务增量。

长鑫、长江存储后续还将推进产能扩建工作。现有产能基础之上，国内存储板块整体产出规模存在进一步抬升的空间。